Veda a výskum

Elektronika na báze III-N polovodičov

Ing. Ján Kuzmík, DrSc.

Elektrotechnický ústav SAV

III-N polovodiče sú pravdepodobne najuniverzálnejšia a veľmi nádejná skupina príbuzných polovodičov pozostávajúca z umelých zlúčenín GaN, AlN a InN. Je to najmä kvôli širokému rozsahu optických prechodov elektrónov zabezpečujúcich celofarebné spektrum v optoelektronických aplikáciách, ako aj možnosti vytvárania kvantovej jamy s mnohopočetným elektrónovým alebo dierovým plynom v elektronických súčiastkach.Netreba zvlášť zdôrazňovať značnú mechanickú odolnosť III-N polovodičov, ich chemickú stabilitu a vysokú elektrónovú rýchlosť vhodnú pre vysokofrekvenčné a výkonové aplikácie a odolné senzory. I napriek tomu, že sme v súčasnosti svedkami komerčného a vedeckého úspechu III-N polovodičov v opto-elektronike (Nobelova cena za vývoj svietiacich LED diód v roku 2014), elektronický priemysel v tejto oblasti ešte stále iba čaká na svoj veľký deň. Je to čiastočne kvôli nedostatočnej kvalite materiálu, ktorá predstavuje niekoľko vzrušujúcich výziev pre vedecký výskum a bádanie. Na SAV sa venujeme vývoju tranzistorov na báze InN, čo by umožnilo posunúť hranice THz-elektroniky, tranzistorom s dierovou vodivostou pre novú logiku ako aj vysoko výkonovej elektronike napr. pre pre prevodníky v nabíjacich staniciach a elektromobilite.

Image1

Tranzistor na báze III-N polovodičov pripravený na Elektrotechnickom ústave SAV